中美芯片之决战——碳化硅材料

近日，美国对中兴出台的芯片禁售政策正式拉开了中美芯片之战的序幕。这场不见硝烟的战争表面上看是经济利益之争，实际是大国之间的皇位之争。

在过去的半个世纪中，芯片产业是对整个工业和人类社会生活起到最大推动作用的行业。它关乎国计民生的方方面面，上至军事装备、卫星雷达、交通运输、电力、政务、金融，下至普通百姓的生活、娱乐、文化、健康等。进入数字化信息时代，它更是一骑绝尘，成为信息革命的基石，而这些成就的基础与前提，就是芯片材料。

巧妇难为无米之炊，如果没有芯片材料的发展成熟，芯片的各种功能将难以实现，其下游的应用就会受阻，而社会工业发展与人们生活水平提高的进程也会放缓。材料的质量与供应对芯片的质量和竞争力起着至关重要的作用，因此，我们认为中美芯片之战的关键在于能否率先掌握新一代芯片材料的核心技术。

在决定芯片性能的关键材料领域，第三代半导体材料成为全球芯片材料争夺的焦点。所谓第三代半导体材料，主要包括SiC、GaN等化合物半导体，因其禁带宽度（Eg）大于或等于2.3电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料，当前以SiC的发展应用最为成熟。和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。在国防、航空、航天、石油勘探、光存储、新能源等领域有着重要应用前景，对人类科技的发展具有里程碑的意义。

历来，芯片材料都是我国在该产业的薄弱环节，一直受制于欧美各国。令人可喜的是，在第三代半导体材料的研发上，我国已同欧美站在同一起跑线上。中国科学院物理研究所的科研人员经过十余年的刻苦钻研，终于开辟新的途径和工艺，于十三年前在碳化硅领域实现了技术和产业化的突破。又经十余年的发展，目前在关键技术和主导产品的研发上，已同国际最高水平并驾齐驱，并有望成为这个行业的技术领导者。我们坚信，在天时、地利、人和俱全的历史性机遇前，碳化硅材料核心技术将会成为我国手握的长缨，帮助我们取得中美芯片决战的胜利。​​​​